集成电路布图设计专有权公告(2018年3月30日)

阅读:135168 2018-03-30 07:56:00 来源:国家知识产权局 作者:国家知识产权局
概述
布图设计登记号:BS.175007837 布图设计申请日:2017年8月30日 公告日期:2018年3月30日 公告号:15804 布图设计名称:SGD5141 布图设计类别: 结构:Bi-MOS 技术:CMOS 功能:其他 布图设计权利人:深圳希格玛和芯微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:广东省深圳市福田区天安数码城创新科技广场…

布图设计登记号:BS.175007837

布图设计申请日
2017年8月30日
公告日期
2018年3月30日
公告号
15804
布图设计名称
SGD5141
布图设计类别
结构:Bi-MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
深圳希格玛和芯微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市福田区天安数码城创新科技广场B座407
布图设计创作人
陈炳杰、张明
布图设计创作完成日
2016年11月7日
布图设计首次商业利用日
2017年1月2日

布图设计登记号:BS.175007845

布图设计申请日
2017年8月30日
公告日期
2018年3月30日
公告号
15805
布图设计名称
SG8T040P
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
布图设计权利人
深圳希格玛和芯微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市福田区天安数码城创新科技广场B座407
布图设计创作人
温建刚、代月荣
布图设计创作完成日
2014年3月21日
布图设计首次商业利用日
2015年10月11日

布图设计登记号:BS.175007853

布图设计申请日
2017年8月30日
公告日期
2018年3月30日
公告号
15806
布图设计名称
SG8T120P
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
布图设计权利人
深圳希格玛和芯微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市福田区天安数码城创新科技广场B座407
布图设计创作人
温建刚、代月荣
布图设计创作完成日
2016年2月23日
布图设计首次商业利用日
2016年6月21日

布图设计登记号:BS.175528241

布图设计申请日
2017年6月16日
公告日期
2018年3月30日
公告号
15807
布图设计名称
SDI5221TS-X1
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
深圳芯易德科技有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市宝安区西乡宝源路名优产品中心A412
布图设计创作人
陈质冉、陈征宇、周于旸
代理机构
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所
代理人
胡海国
布图设计创作完成日
2015年12月20日
布图设计首次商业利用日
2016年4月21日

布图设计登记号:BS.175530866

布图设计申请日
2017年8月17日
公告日期
2018年3月30日
公告号
15808
布图设计名称
同步3A车载充电器芯片(PDC008)
布图设计类别
结构:Bi-MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
曹建林 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市龙岗区布澜路31号李朗国际珠宝软件园A1栋301
布图设计创作人
曹建林
布图设计创作完成日
2016年10月10日

布图设计登记号:BS.175531218

布图设计申请日
2017年8月17日
公告日期
2018年3月30日
公告号
15809
布图设计名称
一种低噪声放大器芯片
布图设计类别
结构:Bipolar-MOS-Bi-MOS-其他 技术:NMOS-其他 功能:线性
布图设计权利人
安徽矽芯微电子科技有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新园二期F3栋1607
布图设计创作人
胡善文、宋海瑞、饶疆
布图设计创作完成日
2017年5月9日

布图设计登记号:BS.175531226

布图设计申请日
2017年8月17日
公告日期
2018年3月30日
公告号
15810
布图设计名称
一种低噪声放大器芯片
布图设计类别
结构:Bipolar-MOS-Bi-MOS-其他 技术:CMOS-其他 功能:线性
布图设计权利人
安徽矽芯微电子科技有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新园二期F3栋1607
布图设计创作人
胡善文、宋海瑞、饶疆
布图设计创作完成日
2017年5月9日

布图设计登记号:BS.175531234

布图设计申请日
2017年8月17日
公告日期
2018年3月30日
公告号
15811
布图设计名称
P波段正交合成芯片
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
安徽矽芯微电子科技有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新园二期F3栋160
布图设计创作人
胡善文、宋海瑞、饶疆
布图设计创作完成日
2016年12月20日

布图设计登记号:BS.175006741

布图设计申请日
2017年8月2日
公告日期
2018年3月30日
公告号
15812
布图设计名称
YBSAD16200RQC型抗辐照16位200MSPSA/D转换器
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:线性_其他
布图设计权利人
中国电子科技集团公司第二十四研究所 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
重庆市南岸区南坪花园路14号24所
布图设计创作人
中国电子科技集团公司第二十四研究所
代理机构
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人
余明伟
布图设计创作完成日
2017年1月20日
本文《集成电路布图设计专有权公告(2018年3月30日)》发表链接: https://iyingwu.com/news/4667.html
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