集成电路布图设计专有权公告(2017年12月13日)

阅读:123293 2017-12-13 10:40:00 来源:国家知识产权局 作者:国家知识产权局
概述
布图设计登记号:BS.175526028 布图设计申请日:2017年4月17日 公告日期:2017年12月13日 公告号:15071 布图设计名称:应用于温度传感器二级跨导运算放大器电路 布图设计类别: 结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他 布图设计权利人:福州大学 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:福建省福州市闽侯县上街镇学园路2号 布图…

布图设计登记号:BS.175526028

布图设计申请日
2017年4月17日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15071
布图设计名称
应用于温度传感器二级跨导运算放大器电路
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
福州大学 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
福建省福州市闽侯县上街镇学园路2号
布图设计创作人
魏榕山、刘章旺、欧阳魁
代理机构
福州元创专利商标代理有限公司
代理人
蔡学俊
布图设计创作完成日
2017年3月16日

布图设计登记号:BS.175526052

布图设计申请日
2017年4月17日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15072
布图设计名称
应用于智能温度传感器的前端运放电路
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
福州大学 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
福建省福州市闽侯县上街镇学园路2号
布图设计创作人
魏榕山、王珏、莫寒以
代理机构
福州元创专利商标代理有限公司
代理人
蔡学俊
布图设计创作完成日
2017年3月22日

布图设计登记号:BS.175526249

布图设计申请日
2017年4月21日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15073
布图设计名称
CRE2281
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:线性
布图设计权利人
深圳市康源半导体有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市深圳市宝安区新安街道前进路西侧冠利达大厦一栋304-02
布图设计创作人
深圳市康源半导体有限公司
布图设计创作完成日
2016年10月18日

布图设计登记号:BS.175526257

布图设计申请日
2017年4月21日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15074
布图设计名称
CRE8308
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:线性
布图设计权利人
深圳市康源半导体有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市宝安区新安街道前进路西侧冠利达大厦一栋304-02
布图设计创作人
深圳市康源半导体有限公司
布图设计创作完成日
2017年2月24日

布图设计登记号:BS.175526265

布图设计申请日
2017年4月21日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15075
布图设计名称
CRE62530
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:线性
布图设计权利人
深圳市康源半导体有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市深圳市宝安区新安街道前进路西侧冠利达大厦一栋304-02
布图设计创作人
深圳市康源半导体有限公司
布图设计创作完成日
2016年12月22日

布图设计登记号:BS.175526273

布图设计申请日
2017年4月21日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15076
布图设计名称
CRE6901
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:线性
布图设计权利人
深圳市康源半导体有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市宝安区新安街道前进路西侧冠利达大厦一栋304-02
布图设计创作人
深圳市康源半导体有限公司
布图设计创作完成日
2016年12月22日

布图设计登记号:BS.175526281

布图设计申请日
2017年4月21日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15077
布图设计名称
CRE8360H3
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:线性
布图设计权利人
深圳市康源半导体有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市深圳市宝安区新安街道前进路西侧冠利达大厦一栋304-02
布图设计创作人
深圳市康源半导体有限公司
布图设计创作完成日
2016年10月18日

布图设计登记号:BS.175526575

布图设计申请日
2017年5月2日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15078
布图设计名称
COOL MOSFET CRE 18N80
布图设计类别
结构:MOS 技术:NMOS 功能:线性
布图设计权利人
深圳市康源半导体有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市宝安区新安街道前进路西侧冠利达大厦一栋304-02
布图设计创作人
深圳市康源半导体有限公司
布图设计创作完成日
2017年3月1日

布图设计登记号:BS.175526583

布图设计申请日
2017年5月2日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15079
布图设计名称
COOL MOSFET CRE 47N60
布图设计类别
结构:MOS 技术:NMOS 功能:线性
布图设计权利人
深圳市康源半导体有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市深圳市宝安区新安街道前进路西侧冠利达大厦一栋304-02
布图设计创作人
深圳市康源半导体有限公司
布图设计创作完成日
2017年3月1日

布图设计登记号:BS.175526826

布图设计申请日
2017年5月10日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15080
布图设计名称
沟槽型DMOS功率器件芯片PT3080
布图设计类别
结构:MOS 技术:其他 功能:逻辑
布图设计权利人
深圳市金誉半导体有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市龙华新区大浪街道华昌路315号金誉工业园
布图设计创作人
杨东霓、胡慧雄、顾南雁
代理机构
深圳市中科创为专利代理有限公司
代理人
曹红梅
布图设计创作完成日
2015年3月28日

布图设计登记号:BS.175526834

布图设计申请日
2017年5月10日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15081
布图设计名称
肖特基功率器件芯片PT2045
布图设计类别
结构:其他 技术:其他 功能:逻辑
布图设计权利人
深圳市金誉半导体有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市龙华新区大浪街道华昌路315号金誉工业园
布图设计创作人
杨东霓、胡慧雄、顾南雁
代理机构
深圳市中科创为专利代理有限公司
代理人
曹红梅
布图设计创作完成日
2015年3月28日

布图设计登记号:BS.175527407

布图设计申请日
2017年5月26日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15082
布图设计名称
GK7102C
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
成都国科微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
四川省成都市高新区高朋大道3号B座5层
布图设计创作人
成都国科微电子有限公司
代理机构
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人
朱紫晓
布图设计创作完成日
2017年5月10日

布图设计登记号:BS.175003386

布图设计申请日
2017年5月22日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15083
布图设计名称
BJ8M604A
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
布图设计权利人
深圳市博巨兴实业发展有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港D栋四楼
布图设计创作人
程仙娟
代理机构
深圳中一专利商标事务所
代理人
张全文
布图设计创作完成日
2016年5月20日
布图设计首次商业利用日
2016年8月1日

布图设计登记号:BS.175003394

布图设计申请日
2017年5月22日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15084
布图设计名称
BJ8M605A
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
布图设计权利人
深圳市博巨兴实业发展有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港D栋四楼
布图设计创作人
程仙娟
代理机构
深圳中一专利商标事务所
代理人
张全文
布图设计创作完成日
2016年6月10日
布图设计首次商业利用日
2016年9月1日

布图设计登记号:BS.175003408

布图设计申请日
2017年5月22日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15085
布图设计名称
BJ8M304A
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
布图设计权利人
深圳市博巨兴实业发展有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港D栋四楼
布图设计创作人
程仙娟
代理机构
深圳中一专利商标事务所
代理人
张全文
布图设计创作完成日
2016年1月10日
布图设计首次商业利用日
2016年3月1日

布图设计登记号:BS.175003416

布图设计申请日
2017年5月22日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15086
布图设计名称
BJ8M608A
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
布图设计权利人
深圳市博巨兴实业发展有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港D栋四楼
布图设计创作人
程仙娟
代理机构
深圳中一专利商标事务所
代理人
张全文
布图设计创作完成日
2016年7月20日
布图设计首次商业利用日
2016年10月10日

布图设计登记号:BS.175003424

布图设计申请日
2017年5月22日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15087
布图设计名称
BJSC802A
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
布图设计权利人
深圳市博巨兴实业发展有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港D栋四楼
布图设计创作人
程仙娟
代理机构
深圳中一专利商标事务所
代理人
张全文
布图设计创作完成日
2016年8月20日
布图设计首次商业利用日
2016年11月1日

布图设计登记号:BS.175003432

布图设计申请日
2017年5月22日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15088
布图设计名称
BJEC026A
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
布图设计权利人
深圳市博巨兴实业发展有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港D栋四楼
布图设计创作人
程仙娟
代理机构
深圳中一专利商标事务所
代理人
张全文
布图设计创作完成日
2016年9月6日
布图设计首次商业利用日
2016年11月1日

布图设计登记号:BS.175003440

布图设计申请日
2017年5月22日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15089
布图设计名称
BJ8M503A
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
布图设计权利人
深圳市博巨兴实业发展有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港D栋四楼
布图设计创作人
深圳市博巨兴实业发展有限公司
代理机构
深圳中一专利商标事务所
代理人
张全文
布图设计创作完成日
2016年4月30日
布图设计首次商业利用日
2016年12月30日

布图设计登记号:BS.175003459

布图设计申请日
2017年5月22日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15090
布图设计名称
BJ8M504A
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
布图设计权利人
深圳市博巨兴实业发展有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港D栋四楼
布图设计创作人
深圳市博巨兴实业发展有限公司
代理机构
深圳中一专利商标事务所
代理人
张全文
布图设计创作完成日
2016年8月10日
布图设计首次商业利用日
2016年12月30日

布图设计登记号:BS.175002940

布图设计申请日
2017年4月21日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15091
布图设计名称
锂电池保护电路
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
东莞市丰颂电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省东莞市高埗镇冼沙北王路同富科技园D栋3楼B区
布图设计创作人
东莞市丰颂电子有限公司
布图设计创作完成日
2016年11月18日

布图设计登记号:BS.175003203

布图设计申请日
2017年5月15日
公告日期
2017年12月13日
公告号
15092
布图设计名称
一种集成小功率管的高压功率VDMOSD5916
布图设计类别
结构:MOS 技术:NMOS 功能:其他
布图设计权利人
无锡市晶源微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区106-C地块A幢209室
布图设计创作人
无锡市晶源微电子有限公司
布图设计创作完成日
2016年9月19日
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