集成电路布图设计专有权事务公告(2022年9月16日)

阅读:127237 2022-09-16 09:25:00 来源:国家知识产权局 作者:国家知识产权局
概述
著录项目变更:2022年8月30日生效 布图登记号: BS.215509412 布图设计名称:一种16通道跨阻放大器芯片 布图设计申请日: 2021年1月26日 原权利人 权利人名称:宁波芯辉科技有限公司 权利人国籍:中国 权利人地址:浙江省宁波市海曙区高桥镇汇贤路388号高桥商会大厦10层 权利人邮编:315174 现权利人 权利人名称:西安芯辉光电科技有限公司 ...

著录项目变更:2022年8月30日生效

布图登记号
BS.215509412
布图设计名称
一种16通道跨阻放大器芯片
布图设计申请日
2021年1月26日

原权利人

权利人名称
宁波芯辉科技有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
浙江省宁波市海曙区高桥镇汇贤路388号高桥商会大厦10层
权利人邮编
315174

现权利人

权利人名称
西安芯辉光电科技有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
陕西省西安市高新区高新六路38号西安腾飞创新中心B座4层01室
权利人邮编
710075

著录项目变更:2022年8月22日生效

布图登记号
BS.215543920
布图设计名称
用电器功率识别控制单元芯片
布图设计申请日
2021年4月22日

原权利人

权利人名称
陈义
权利人国籍
中国
权利人地址
湖南省长沙市岳麓区云栖路云栖谷
权利人邮编
410000
权利人名称
湖南工业职业技术学院
权利人国籍
中国
权利人地址
湖南省长沙市韶山中路376号
权利人邮编
410208
权利人名称
深圳市柚子智能科技有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市龙岗区龙岗街道南联社区宝南路87号惠华印刷厂201
权利人邮编
518000
权利人名称
成文卫
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市龙岗区南联满京华喜悦里12栋609室
权利人邮编
518000

现权利人

权利人名称
陈义
权利人国籍
中国
权利人地址
湖南省长沙市岳麓区云栖路云栖谷
权利人邮编
410000
权利人名称
湖南工业职业技术学院
权利人国籍
中国
权利人地址
湖南省长沙市韶山中路376号
权利人邮编
410208
权利人名称
京云柚子科技(深圳)有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市龙岗区龙岗街道南联社区银翠路6号满京华喜悦里华庭二期12座608
权利人邮编
518000
权利人名称
成文卫
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市龙岗区南联满京华喜悦里12栋609室
权利人邮编
518000

著录项目变更:2022年8月19日生效

布图登记号
BS.215584333
布图设计名称
一种高频电源的检测芯片
布图设计申请日
2021年7月15日

原联系人

联系人姓名
张鑫
联系人邮编
215000
联系人地址
江苏省苏州市姑苏区人民路280号宏运大厦602室

变更后联系人

联系人姓名
徐香
联系人邮编
215000
联系人地址
江苏省苏州市姑苏区人民路280号宏运大厦507室

著录项目变更:2022年8月19日生效

布图登记号
BS.21558452X
布图设计名称
Ytwdz0021
布图设计申请日
2021年7月16日

原权利人

权利人名称
裕太微电子股份有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
江苏省常州市高新区科灵路78号4号楼201室
权利人邮编
215159

现权利人

权利人名称
裕太微电子股份有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
江苏省苏州市高新区科灵路78号4号楼201室
权利人邮编
215159

著录项目变更:2022年8月19日生效

布图登记号
BS.215586093
布图设计名称
ER88577B
布图设计申请日
2021年7月20日
原布图设计名称
ER88477B
变更后布图设计名称
ER88577B

著录项目变更:2022年9月8日生效

布图登记号
BS.215589696
布图设计名称
DMOS功率芯片VS12015CAAQ
布图设计申请日
2021年7月27日

原权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

现权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

著录项目变更:2022年9月8日生效

布图登记号
BS.215589890
布图设计名称
DMOS功率芯片VS20270CA4Q
布图设计申请日
2021年7月27日

原权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

现权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

著录项目变更:2022年9月8日生效

布图登记号
BS.215589955
布图设计名称
DMOS功率芯片VS6613GS
布图设计申请日
2021年7月27日

原权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

现权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

著录项目变更:2022年9月8日生效

布图登记号
BS.215589971
布图设计名称
DMOS功率芯片VS20031CA6Q
布图设计申请日
2021年7月27日

原权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

现权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

著录项目变更:2022年9月8日生效

布图登记号
BS.215589998
布图设计名称
DMOS功率芯片VSP004N10MS-K
布图设计申请日
2021年7月27日

原权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

现权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

著录项目变更:2022年8月19日生效

布图登记号
BS.215596137
布图设计名称
离子注入机离子分析智能控制电路
布图设计申请日
2021年8月9日

原权利人

权利人名称
江苏联芯半导体科技有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
江苏省连云港市张家港市杨舍镇福新路2号1(张家港国家再制造产业示范基地)
权利人邮编
215627

现权利人

权利人名称
江苏联芯半导体科技有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号1(张家港国家再制造产业示范基地)
权利人邮编
215627

著录项目变更:2022年8月19日生效

布图登记号
BS.215596153
布图设计名称
扩散炉运行工况监控电路
布图设计申请日
2021年8月9日

原权利人

权利人名称
江苏联芯半导体科技有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
江苏省连云港市张家港市杨舍镇福新路2号1(张家港国家再制造产业示范基地)
权利人邮编
215627

现权利人

权利人名称
江苏联芯半导体科技有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号1(张家港国家再制造产业示范基地)
权利人邮编
215627
专有权的转移
2022年8月22日生效
布图登记号
BS.215598776
布图设计名称
安全认证芯片se1中New RRAM
布图设计申请日
2021年8月13日

原权利人

权利人名称
昕原半导体(上海)有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
权利人邮编
201315

现权利人

权利人名称
昕原半导体(杭州)有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
浙江省杭州市临安区青山湖街道崇文路1788号
权利人邮编
311305

著录项目变更:2022年9月8日生效

布图登记号
BS.215601335
布图设计名称
DMOS功率芯片VS1605APM
布图设计申请日
2021年8月18日

原权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

现权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

著录项目变更:2022年9月8日生效

布图登记号
BS.215601351
布图设计名称
DMOS功率芯片VST006N15HS-G
布图设计申请日
2021年8月18日

原权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

现权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

著录项目变更:2022年9月8日生效

布图登记号
BS.215601394
布图设计名称
DMOS功率芯片VS3615GE
布图设计申请日
2021年8月18日

原权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

现权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

著录项目变更:2022年9月8日生效

布图登记号
BS.215601424
布图设计名称
DMOS功率芯片VSE007N04MS-G
布图设计申请日
2021年8月18日

原权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

现权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

著录项目变更:2022年9月8日生效

布图登记号
BS.215601475
布图设计名称
DMOS功率芯片VSE009NE6MS-G
布图设计申请日
2021年8月18日

原权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

现权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

著录项目变更:2022年9月8日生效

布图登记号
BS.215601491
布图设计名称
DMOS功率芯片VS8402AMH
布图设计申请日
2021年8月18日

原权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

现权利人

权利人名称
深圳市威兆半导体股份有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
权利人邮编
518000

著录项目变更:2022年8月19日生效

布图登记号
BS.215602552
布图设计名称
MAP1601固态硬盘控制芯片
布图设计申请日
2021年8月19日

原权利人

权利人名称
联芸科技(杭州)有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
浙江省杭州市滨江区阡陌路459号聚光中心C1座6楼
权利人邮编
310051

现权利人

权利人名称
联芸科技(杭州)股份有限公司
权利人国籍
中国
权利人地址
浙江省杭州市滨江区西兴街道阡陌路459号C楼C1-604室
权利人邮编
310051
关键词
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